比例縮小則
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| （間の 3 版分が非表示です） | |||
| 7 行 | 7 行 | ||
一定の係数で比例的に，あるいは反比例 | 一定の係数で比例的に，あるいは反比例 | ||
的に縮小していく規則．電界強度を一定に保ち，短チャネル効果，ホット・キャリア効果などの影響を防止することができる． | 的に縮小していく規則．電界強度を一定に保ち，短チャネル効果，ホット・キャリア効果などの影響を防止することができる． | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | '''表 MOSFETの比例縮小則（電界強度が一定のとき）'''<br> | ||
| + | [[画像:lsi_t4.gif]]<br> | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
| 16 行 | 21 行 | ||
* [[ホット・キャリア]] | * [[ホット・キャリア]] | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|ヒレイシュクショウソク]] [[Category:LSI|ヒレイシュクショウソク]] |
最新版
比例縮小則【Scale Down Law】
半導体デバイス（とくにCMOS）の微
細化構造において，主要パラメータ（デ
バイス寸法，電圧，不純物濃度）などを
一定の係数で比例的に，あるいは反比例
的に縮小していく規則．電界強度を一定に保ち，短チャネル効果，ホット・キャリア効果などの影響を防止することができる．
表 MOSFETの比例縮小則（電界強度が一定のとき）
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
