比例縮小則
出典: くみこみックス
版間での差分
(間の 4 版分が非表示です) | |||
7 行 | 7 行 | ||
一定の係数で比例的に,あるいは反比例 | 一定の係数で比例的に,あるいは反比例 | ||
的に縮小していく規則.電界強度を一定に保ち,短チャネル効果,ホット・キャリア効果などの影響を防止することができる. | 的に縮小していく規則.電界強度を一定に保ち,短チャネル効果,ホット・キャリア効果などの影響を防止することができる. | ||
+ | <br> | ||
+ | <br> | ||
+ | <br> | ||
+ | '''表 MOSFETの比例縮小則(電界強度が一定のとき)'''<br> | ||
+ | [[画像:lsi_t4.gif]]<br> | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | 【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | ||
- | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
16 行 | 21 行 | ||
* [[ホット・キャリア]] | * [[ホット・キャリア]] | ||
- | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|ヒレイシュクショウソク]] [[Category:LSI|ヒレイシュクショウソク]] |
最新版
比例縮小則【Scale Down Law】
半導体デバイス(とくにCMOS)の微
細化構造において,主要パラメータ(デ
バイス寸法,電圧,不純物濃度)などを
一定の係数で比例的に,あるいは反比例
的に縮小していく規則.電界強度を一定に保ち,短チャネル効果,ホット・キャリア効果などの影響を防止することができる.
表 MOSFETの比例縮小則(電界強度が一定のとき)
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.