LDD

出典: くみこみックス

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最新版 (2009年3月16日 (月) 07:52) (ソースを表示)
 
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 ドレイン,ソースの近傍に,より薄い不純物を重ねて拡散(2重拡散)させたMOSFETの構造.MOSFETのチャネル長が減少すると,ホット・キャリアが発生する.これにともなって起こるしきい値電圧変化,電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている.
 ドレイン,ソースの近傍に,より薄い不純物を重ねて拡散(2重拡散)させたMOSFETの構造.MOSFETのチャネル長が減少すると,ホット・キャリアが発生する.これにともなって起こるしきい値電圧変化,電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている.
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'''図 LDD構造'''
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
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最新版

LDD(Lightly Doped Drain)

 ドレイン,ソースの近傍に,より薄い不純物を重ねて拡散(2重拡散)させたMOSFETの構造.MOSFETのチャネル長が減少すると,ホット・キャリアが発生する.これにともなって起こるしきい値電圧変化,電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている.


画像:lsi_f104.gif

図 LDD構造



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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