LDD（Lightly Doped Drain） ドレイン，ソースの近傍に，より薄い不純物を重ねて拡散（2重拡散）させたMOSFETの構造．MOSFETのチャネル長が減少すると，ホット・キャリアが発生する．これにともなって起こるしきい値電圧変化，電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている． 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
