トレンチ・キャパシタ
出典: くみこみックス
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DRAMメモリ・セルに用いるキャパシタ．シリコン基板中に溝を形成し，単位あたりのキャパシタ面積を大きくとれるように工夫した構造．4M～16Mビットの時代は，スタック・キャパシタとともに各社が採用していたが，64Mビット以降の超微細化構造では製造が困難であるため，DRAMメモリ・セルはスタックト・キャパシタ型が支配的になっている． | DRAMメモリ・セルに用いるキャパシタ．シリコン基板中に溝を形成し，単位あたりのキャパシタ面積を大きくとれるように工夫した構造．4M～16Mビットの時代は，スタック・キャパシタとともに各社が採用していたが，64Mビット以降の超微細化構造では製造が困難であるため，DRAMメモリ・セルはスタックト・キャパシタ型が支配的になっている． | ||
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【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
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トレンチ・キャパシタ【Trench Capacitor】
DRAMメモリ・セルに用いるキャパシタ．シリコン基板中に溝を形成し，単位あたりのキャパシタ面積を大きくとれるように工夫した構造．4M～16Mビットの時代は，スタック・キャパシタとともに各社が採用していたが，64Mビット以降の超微細化構造では製造が困難であるため，DRAMメモリ・セルはスタックト・キャパシタ型が支配的になっている．
図 トレンチ・キャパシタ・セルの例（断面図）
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
