ドライ・エッチング
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
(間の 2 版分が非表示です) | |||
6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | 【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | ||
- | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
13 行 | 13 行 | ||
* [[エッチング]] | * [[エッチング]] | ||
- | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|トライエッチンク]] [[Category:LSI|トライエッチンク]] |
最新版
ドライ・エッチング【Dry Etching】
プラズマなどによるガス反応を利用したエッチング.反応が制御しやすいため,エッチング後の形状制御性が良い.高集積化やパターンの微細化,製造工程の自動化が進み,環境問題に注目が集まっていることから,現在のエッチングはドライ・エッチングが主流となっている.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.