LDD
出典: くみこみックス
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ドレイン，ソースの近傍に，より薄い不純物を重ねて拡散（2重拡散）させたMOSFETの構造．MOSFETのチャネル長が減少すると，ホット・キャリアが発生する．これにともなって起こるしきい値電圧変化，電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている． | ドレイン，ソースの近傍に，より薄い不純物を重ねて拡散（2重拡散）させたMOSFETの構造．MOSFETのチャネル長が減少すると，ホット・キャリアが発生する．これにともなって起こるしきい値電圧変化，電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている． | ||
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【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
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最新版
LDD（Lightly Doped Drain）
ドレイン，ソースの近傍に，より薄い不純物を重ねて拡散（2重拡散）させたMOSFETの構造．MOSFETのチャネル長が減少すると，ホット・キャリアが発生する．これにともなって起こるしきい値電圧変化，電源耐圧劣化などを防止する目的でLDDが用いられている．
図 LDD構造
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
