シリコン・ゲート
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
M (1 版) |
||
| （間の 1 版分が非表示です） | |||
| 6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
最新版
シリコン・ゲート【Silicon Gate】
ゲート電極にポリシリコンを用いたものを，シリコン・ゲートMOSという．シリコン・ゲートは，微細化に向いたセルフ・アライン（自己整合）ゲート構造がとれるなど，プロセス的に有利な点が多い．現在のCMOSプロセスではシリコン・ゲート構造が主流である．これに対して，ゲート電極にAl（アルミニウム）を用いたものを，アルミ・ゲートMOSという．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
