SIMOX

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 シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し,そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術.SIMOX法は,1978年にNTT(日本電信電話)が提案した.高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化(ITOX:Internal Thermal Oxidation)を引き起こし,埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が,ITOX-SIMOXである.
 シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し,そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術.SIMOX法は,1978年にNTT(日本電信電話)が提案した.高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化(ITOX:Internal Thermal Oxidation)を引き起こし,埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が,ITOX-SIMOXである.
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'''図 ITOX-SIMOXプロセス'''
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
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最新版

SIMOX(Separated by Implanted Oxygen)

 シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し,そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術.SIMOX法は,1978年にNTT(日本電信電話)が提案した.高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化(ITOX:Internal Thermal Oxidation)を引き起こし,埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が,ITOX-SIMOXである.


画像:lsi_f116.gif

図 ITOX-SIMOXプロセス



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

関連項目

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