PN接合

出典: くみこみックス

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 一つの半導体の中で,P領域とN領域が接している領域.P側に正の電圧,N側に負の電圧を加えた場合を,順方向バイアスという(接触電位差を小さくするような電圧のかけ方).順方向バイアスでは,接触電位差が小さくなり電流が流れる.逆に,P側に負の電圧,N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは,接触電位差が大きくなり電流は流れない.PN接合をもった半導体素子がダイオードである.
 一つの半導体の中で,P領域とN領域が接している領域.P側に正の電圧,N側に負の電圧を加えた場合を,順方向バイアスという(接触電位差を小さくするような電圧のかけ方).順方向バイアスでは,接触電位差が小さくなり電流が流れる.逆に,P側に負の電圧,N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは,接触電位差が大きくなり電流は流れない.PN接合をもった半導体素子がダイオードである.
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'''図 PN接合と順方向/逆方向バイアスのエネルギ図'''
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
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最新版

PN接合(PN Junction)

 一つの半導体の中で,P領域とN領域が接している領域.P側に正の電圧,N側に負の電圧を加えた場合を,順方向バイアスという(接触電位差を小さくするような電圧のかけ方).順方向バイアスでは,接触電位差が小さくなり電流が流れる.逆に,P側に負の電圧,N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは,接触電位差が大きくなり電流は流れない.PN接合をもった半導体素子がダイオードである.


画像:lsi_f113.gif

図 PN接合と順方向/逆方向バイアスのエネルギ図



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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