DRAM
出典: くみこみックス
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| + | RAMとは，任意（random）にデータの読み出し・書き込みが可能なメモリ．そのなかでDRAMは，電荷がリーク電流によって失われていくタイプなので，適当な時間ごとにリフレッシュが必要な，動的（dynamic）なRAMである．構成は1ビットが一つのトランジスタとコンデンサ（キャパシタ）からできており，コンデンサに電荷がある状態を‘1’，ない状態を‘0’として記憶する．このDRAMに対して，リフレッシュ不要なRAMが静的（static）なSRAMである． | ||
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| + | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
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DRAM（Dynamic Random Access Memory）
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの略です．半導体メモリ素子の中で最も高密度化しやすく，低コストで大容量のメモリを実現できるため，コンピュータのメイン・メモリとして大量に使用されています．一方，アクセスは比較的低速なため，プロセッサとメイン・メモリの間に高速のメモリを介在させてアクセス効率を向上させるキャッシュの技術が発展しました．
【出典】宮崎 仁；ARM用語集，デザイン ウェーブ マガジン 2008年6月号 別冊付録，CQ出版社，2008年6月．
RAMとは，任意（random）にデータの読み出し・書き込みが可能なメモリ．そのなかでDRAMは，電荷がリーク電流によって失われていくタイプなので，適当な時間ごとにリフレッシュが必要な，動的（dynamic）なRAMである．構成は1ビットが一つのトランジスタとコンデンサ（キャパシタ）からできており，コンデンサに電荷がある状態を‘1’，ない状態を‘0’として記憶する．このDRAMに対して，リフレッシュ不要なRAMが静的（static）なSRAMである．
図 DRAMセルの基本回路構成
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
