CMP
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
M (1 版) |
||
| （間の 1 版分が非表示です） | |||
| 7 行 | 7 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
最新版
CMP（Chemical Mechanical Polish）
スラリと呼ばれる薬液による化学的研磨作用と，研磨パッドによる機械的研磨作用を組み合わせた平坦化技術．スラリと研磨パッドは被研磨材によって多数の種類が用意されている．
CMP技術には絶縁膜を研磨することによりデバイス段差を平坦化する平坦化CMPと，絶縁膜と埋め込んだ金属膜を同時に研磨して埋め込み素子分離やダマシン配線を形成するリセスCMPがある．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
