貫通電流

出典: くみこみックス

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 CMOS論理回路の電流は,負荷容量CLの充電/放電電流と,パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる.これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる.つまり,貫通電流の量は周波数に比例する.消費電流を減らすには,パルス遷移時間を短く(パルスのスルー・レートを大きく)する必要がある.
 CMOS論理回路の電流は,負荷容量CLの充電/放電電流と,パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる.これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる.つまり,貫通電流の量は周波数に比例する.消費電流を減らすには,パルス遷移時間を短く(パルスのスルー・レートを大きく)する必要がある.
気相成長(Chemical Vapor Deposition)
気相成長(Chemical Vapor Deposition)
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
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* [[CVD]](同義語)
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[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]
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[[Category:組み込み技術全般|カンツウテンリュウ]] [[Category:LSI|カンツウテンリュウ]]

最新版

貫通電流【Flow-through Current】

 CMOSトランジスタの回路構成において,Pチャネル・トランジスタとNチャネル・トランジスタが同時にONになる遷移時間に,VDD側からGND側に向かって流れる直流電流.  CMOS論理回路の電流は,負荷容量CLの充電/放電電流と,パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる.これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる.つまり,貫通電流の量は周波数に比例する.消費電流を減らすには,パルス遷移時間を短く(パルスのスルー・レートを大きく)する必要がある. 気相成長(Chemical Vapor Deposition)


画像:lsi_f11.gif

図 貫通電流



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

関連項目

  • CVD(同義語)
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