移動度

出典: くみこみックス

2009年3月16日 (月) 06:11; Worker (会話 | 投稿記録) による版
(差分) ←前の版 | 最新版を表示 (差分) | 次の版→ (差分)

移動度【Mobility】

 半導体中のキャリアである電子や正孔(ホール)の平均速度は,電場が比較的低い場合には電界Eに比例する.このときの比例定数が移動度μ(単位はcm2/V・s)である.シリコン(Si)デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは,電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる.また,GaAs(ガリウム砒素)デバイスが,シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である.


画像:lsi_f3.gif

図 移動度の不純物濃度依存性



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

関連項目

表示