移動度
出典: くみこみックス
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半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である． | 半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である． | ||
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最新版
移動度【Mobility】
半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である．
図 移動度の不純物濃度依存性
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
