移動度

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 半導体中のキャリアである電子や正孔(ホール)の平均速度は,電場が比較的低い場合には電界Eに比例する.このときの比例定数が移動度μ(単位はcm2/V・s)である.シリコン(Si)デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは,電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる.また,GaAs(ガリウム砒素)デバイスが,シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である.
 半導体中のキャリアである電子や正孔(ホール)の平均速度は,電場が比較的低い場合には電界Eに比例する.このときの比例定数が移動度μ(単位はcm2/V・s)である.シリコン(Si)デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは,電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる.また,GaAs(ガリウム砒素)デバイスが,シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である.
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'''図 移動度の不純物濃度依存性'''
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
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最新版

移動度【Mobility】

 半導体中のキャリアである電子や正孔(ホール)の平均速度は,電場が比較的低い場合には電界Eに比例する.このときの比例定数が移動度μ(単位はcm2/V・s)である.シリコン(Si)デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは,電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる.また,GaAs(ガリウム砒素)デバイスが,シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である.


画像:lsi_f3.gif

図 移動度の不純物濃度依存性



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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