拡散プロセス

出典: くみこみックス

版間での差分
最新版 (2009年3月13日 (金) 08:22) (ソースを表示)
 
(間の 3 版分が非表示です)
6 行 6 行
<br>
<br>
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
-
 
+
<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
<br>
<br>
<br>
<br>
12 行 12 行
* [[イオン注入]]
* [[イオン注入]]
-
[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]
+
[[Category:組み込み技術全般|カクサンフロセス]] [[Category:LSI|カクサンフロセス]]

最新版

拡散プロセス【Diffusion Process】

 半導体基板上のMOSFETなどのトランジスタには,Pチャネル型とNチャネル型がある.それぞれのトランジスタ構造(ドレイン,ソース,ゲート,基板)には,たとえばボロン(B),リン(P),砒素(As)などの不純物を注入し,拡散(ドーピング),熱処理(アニーリング)が行われている.これらの処理によって均一化する工程を拡散プロセスと呼ぶ.従来は不純物ガスを注入(添加)した後で行う熱拡散方式が多かったが,現在はイオン注入による不純物注入が主流である.

【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

関連項目

表示