強誘電体メモリ
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| 11 行 | 11 行 | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|キョウユウテンタイメモリ]] [[Category:LSI|キョウユウテンタイメモリ]] |
2009年3月13日 (金) 08:19の版
強誘電体メモリ【Fero-electric RAM】
ゲート電極などに強誘電体のヒステリシス特性を利用した不揮発メモリ．FRAMともいう．強誘電体としては，チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）やストロンチウム・ビスマス･タンタレート（SBT）が用いられる．非接触ICカードなどで実用化が始まっている．強誘電体メモリの構成としては，強誘電体キャパシタを用いた方式と強誘電体ゲートFETを用いた方式の2種類があるが，実用化されているのは後者の方式である．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
