入力保護回路

出典: くみこみックス

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最新版 (2009年3月16日 (月) 07:11) (ソースを表示)
 
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 MOS(CMOS)LSIの入力保護回路.MOSトランジスタは,その構成上,入力部ゲートが酸化膜でできている.ところがLSIの入力は通常環境で数千ボルトの静電気にさらされているため,ゲート酸化膜が破壊されやすい.したがって,CMOS LSIなどには静電放電(ESD:Electrostatic Discharge)のための保護回路を設けることが必須である.原理的には,酸化膜に電圧が印加される前に,基板・電源方向に高電圧を逃がしてやることである.
 MOS(CMOS)LSIの入力保護回路.MOSトランジスタは,その構成上,入力部ゲートが酸化膜でできている.ところがLSIの入力は通常環境で数千ボルトの静電気にさらされているため,ゲート酸化膜が破壊されやすい.したがって,CMOS LSIなどには静電放電(ESD:Electrostatic Discharge)のための保護回路を設けることが必須である.原理的には,酸化膜に電圧が印加される前に,基板・電源方向に高電圧を逃がしてやることである.
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'''図 基本的な入力保護回路の例'''
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最新版

入力保護回路【Input Protection Circuit】

 MOS(CMOS)LSIの入力保護回路.MOSトランジスタは,その構成上,入力部ゲートが酸化膜でできている.ところがLSIの入力は通常環境で数千ボルトの静電気にさらされているため,ゲート酸化膜が破壊されやすい.したがって,CMOS LSIなどには静電放電(ESD:Electrostatic Discharge)のための保護回路を設けることが必須である.原理的には,酸化膜に電圧が印加される前に,基板・電源方向に高電圧を逃がしてやることである.


画像:lsi_f59.gif

図 基本的な入力保護回路の例



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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