ラッチアップ
出典: くみこみックス
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CMOS LSIなどに特定の電圧を印加した状態で，寄生サイリスタ（寄生トランジスタが組み合わさった構造）などが導通し，電源端子間に大電流が流れ続けることがある．このときLSIを破壊したり，回路動作を不能にする現象をラッチアップと呼ぶ．微細なプロセス技術によって形成したCMOS構造は，ラッチアップが発生しやすい．レイアウトやプロセス技術（たとえば，SOI基板，エピタキシャル・ウェハの採用など）に注意する必要がある． | CMOS LSIなどに特定の電圧を印加した状態で，寄生サイリスタ（寄生トランジスタが組み合わさった構造）などが導通し，電源端子間に大電流が流れ続けることがある．このときLSIを破壊したり，回路動作を不能にする現象をラッチアップと呼ぶ．微細なプロセス技術によって形成したCMOS構造は，ラッチアップが発生しやすい．レイアウトやプロセス技術（たとえば，SOI基板，エピタキシャル・ウェハの採用など）に注意する必要がある． | ||
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| + | '''図 CMOS構造におけるラッチアップ現象''' | ||
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最新版
ラッチアップ【Latch-up】
CMOS LSIなどに特定の電圧を印加した状態で，寄生サイリスタ（寄生トランジスタが組み合わさった構造）などが導通し，電源端子間に大電流が流れ続けることがある．このときLSIを破壊したり，回路動作を不能にする現象をラッチアップと呼ぶ．微細なプロセス技術によって形成したCMOS構造は，ラッチアップが発生しやすい．レイアウトやプロセス技術（たとえば，SOI基板，エピタキシャル・ウェハの採用など）に注意する必要がある．
図 CMOS構造におけるラッチアップ現象
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
