フラッシュ・メモリ

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最新版 (2009年3月16日 (月) 07:28) (ソースを表示)
 
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 EEPROM構造を簡略化して高速・高集積化し,その代わりに消去方法をアドレス指定から一括型(フラッシュ・タイプ)としたデバイス.これによって,ビットあたりのコストを下げられる.フラッシュ・メモリは,現在,携帯電話機などを中心に数多くの電子機器に搭載されている.またハード・ディスク装置(磁気媒体メモリ)の固体素子メモリへの置き換えも始まっている.
 EEPROM構造を簡略化して高速・高集積化し,その代わりに消去方法をアドレス指定から一括型(フラッシュ・タイプ)としたデバイス.これによって,ビットあたりのコストを下げられる.フラッシュ・メモリは,現在,携帯電話機などを中心に数多くの電子機器に搭載されている.またハード・ディスク装置(磁気媒体メモリ)の固体素子メモリへの置き換えも始まっている.
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'''図 フラッシュ・メモリの構造'''
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最新版

フラッシュ・メモリ【Flash Memory】

 EEPROM構造を簡略化して高速・高集積化し,その代わりに消去方法をアドレス指定から一括型(フラッシュ・タイプ)としたデバイス.これによって,ビットあたりのコストを下げられる.フラッシュ・メモリは,現在,携帯電話機などを中心に数多くの電子機器に搭載されている.またハード・ディスク装置(磁気媒体メモリ)の固体素子メモリへの置き換えも始まっている.


画像:lsi_f74.gif

図 フラッシュ・メモリの構造



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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