ステッパ

出典: くみこみックス

版間での差分
最新版 (2009年3月16日 (月) 06:51) (ソースを表示)
 
(間の 1 版分が非表示です)
4 行 4 行
 LSI製造のためのステップ&リピート機構つき露光装置.
 LSI製造のためのステップ&リピート機構つき露光装置.
 従来の露光装置がフォトマスクに1対1対応したパターンを焼き付けるのに対して,ステッパは縮小投影しながらウェハ全面にステップ&リピート機構を用いて焼き付ける.レンズ縮小率が5倍の場合,フォトマスク寸法1μmによってウェハ上の0.2μmを焼き付けることができ,微細パターンの形成においてその効果は大きい.
 従来の露光装置がフォトマスクに1対1対応したパターンを焼き付けるのに対して,ステッパは縮小投影しながらウェハ全面にステップ&リピート機構を用いて焼き付ける.レンズ縮小率が5倍の場合,フォトマスク寸法1μmによってウェハ上の0.2μmを焼き付けることができ,微細パターンの形成においてその効果は大きい.
 +
<br>
 +
<br>
 +
<br>
 +
<center>
 +
[[画像:lsi_f38.gif]]<br>
 +
<br>
 +
'''図 ステッパ光源と波長'''
 +
</center>
<br>
<br>
<br>
<br>

最新版

ステッパ【Wafer Stepper】

 LSI製造のためのステップ&リピート機構つき露光装置.  従来の露光装置がフォトマスクに1対1対応したパターンを焼き付けるのに対して,ステッパは縮小投影しながらウェハ全面にステップ&リピート機構を用いて焼き付ける.レンズ縮小率が5倍の場合,フォトマスク寸法1μmによってウェハ上の0.2μmを焼き付けることができ,微細パターンの形成においてその効果は大きい.


画像:lsi_f38.gif

図 ステッパ光源と波長



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

関連項目

表示