グラウンド・バウンス

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【出典】(株)アルティマ 技術統括部 一同,下馬場 朋禄,山際 伸一,横溝 憲治;システム開発者のためのFPGA用語集,Design Wave Magazine 2008年12月号 別冊付録,CQ出版社,2008年12月.
【出典】(株)アルティマ 技術統括部 一同,下馬場 朋禄,山際 伸一,横溝 憲治;システム開発者のためのFPGA用語集,Design Wave Magazine 2008年12月号 別冊付録,CQ出版社,2008年12月.
<!-- 【著作権者】○○ ○○氏 -->
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 IC内部の出力などが同時に変化したとき,電源電流が大きく変化して,チップ上のVDD,GND電圧レベルが影響を受けること.
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 たとえば出力バッファなどが同時に動作したとき,貫通電流はかなり大きくなる.ボンディング・ワイヤなどのインダクタンスや容量,VDD,GND側のインピーダンスの影響を受けて,VDDやGND電圧レベルはパルス的に変化する.この結果,回路が誤動作することがある.高速動作の回路ではこうした問題への配慮が必要となる.
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'''図 グラウンド・バウンス'''
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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[[Category:組み込み技術全般|クラウントハウンス]] [[Category:FPGA|クラウントハウンス]]
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グラウンド・バウンス 【Ground Bounce】

 デバイスの内部回路やI/O回路が消費する電力が瞬間的に変化したときに,コア電源やI/O電源,I/Oピンなどの寄生容量やグラウンドに対するインピーダンスなどが影響し,グラウンドの電圧レベルが変化してしまう現象です.これが発生する理由として,バイパス・コンデンサ(パスコン)の欠如や,ピンへの突入電流の発生が考えられます.

【出典】(株)アルティマ 技術統括部 一同,下馬場 朋禄,山際 伸一,横溝 憲治;システム開発者のためのFPGA用語集,Design Wave Magazine 2008年12月号 別冊付録,CQ出版社,2008年12月.


 IC内部の出力などが同時に変化したとき,電源電流が大きく変化して,チップ上のVDD,GND電圧レベルが影響を受けること.  たとえば出力バッファなどが同時に動作したとき,貫通電流はかなり大きくなる.ボンディング・ワイヤなどのインダクタンスや容量,VDD,GND側のインピーダンスの影響を受けて,VDDやGND電圧レベルはパルス的に変化する.この結果,回路が誤動作することがある.高速動作の回路ではこうした問題への配慮が必要となる.


画像:lsi_f14.gif

図 グラウンド・バウンス



【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

関連項目

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