ガリウム砒素IC

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2009年3月13日 (金) 03:00; Kumikomiadmin (会話 | 投稿記録) による版
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ガリウム砒素IC(Gallium Arsenide IC)

 ガリウム砒素(GaAs)を用いた化合物半導体.GaAsの電子移動度はシリコンより約6倍大きいので,高速動作に適している.マイクロ波トランジスタやモノリシック・マイクロ波IC(MMIC)向けに開発されてきた.最近では,HEMT構造を用いて,高速ゲートアレイやSRAMなどが実用化されている.

【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.



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