ガリウム砒素IC

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ガリウム砒素IC(Gallium Arsenide IC)
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.
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<!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 -->
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[[Category:組み込み技術全般|カリウムヒソIC]] [[Category:LSI|カリウムヒソIC]]

最新版

ガリウム砒素IC【Gallium Arsenide IC】

 ガリウム砒素(GaAs)を用いた化合物半導体.GaAsの電子移動度はシリコンより約6倍大きいので,高速動作に適している.マイクロ波トランジスタやモノリシック・マイクロ波IC(MMIC)向けに開発されてきた.最近では,HEMT構造を用いて,高速ゲートアレイやSRAMなどが実用化されている.

【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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