エピタキシャル・ウェハ

出典: くみこみックス

2009年3月13日 (金) 07:40; Kumikomiadmin (会話 | 投稿記録) による版

エピタキシャル・ウェハ【Epitaxial Wafer】

 シリコン基板などの単結晶表面に,異なる比抵抗をもつ単結晶層をエピタキシャル成長させたウェハ.MOSFETのリーク電流を極力抑えなければならない64Mビット以降のDRAMなどに使用されている.リーク電流を少なくするためには,結晶欠陥をできるだけ除去することが重要である.MOSFETが構成される半導体基板表面の結晶性は,より完全なものが要求される.

【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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