拡散プロセス
出典: くみこみックス
拡散プロセス【Diffusion Process】
半導体基板上のMOSFETなどのトランジスタには，Pチャネル型とNチャネル型がある．それぞれのトランジスタ構造（ドレイン，ソース，ゲート，基板）には，たとえばボロン（B），リン（P），砒素（As）などの不純物を注入し，拡散（ドーピング），熱処理（アニーリング）が行われている．これらの処理によって均一化する工程を拡散プロセスと呼ぶ．従来は不純物ガスを注入（添加）した後で行う熱拡散方式が多かったが，現在はイオン注入による不純物注入が主流である．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
