ガリウム砒素IC（Gallium Arsenide IC） ガリウム砒素（GaAs）を用いた化合物半導体．GaAsの電子移動度はシリコンより約6倍大きいので，高速動作に適している．マイクロ波トランジスタやモノリシック・マイクロ波IC（MMIC）向けに開発されてきた．最近では，HEMT構造を用いて，高速ゲートアレイやSRAMなどが実用化されている． 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
