空乏層

出典: くみこみックス

2009年3月16日 (月) 01:22; Worker (会話 | 投稿記録) による版
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空乏層【Depletion Layer】

 PN接合,ショットキー接合において,PN接合付近に生じるキャリアがほとんど存在しない領域.空乏層厚さは,接合に印加される電圧に依存する.順方向バイアスでは小さく,逆方向バイアスでは大きくなる.空乏層が存在するためPN接合には容量が生じる.

【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.

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