PN接合
出典: くみこみックス
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一つの半導体の中で，P領域とN領域が接している領域．P側に正の電圧，N側に負の電圧を加えた場合を，順方向バイアスという（接触電位差を小さくするような電圧のかけ方）．順方向バイアスでは，接触電位差が小さくなり電流が流れる．逆に，P側に負の電圧，N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは，接触電位差が大きくなり電流は流れない．PN接合をもった半導体素子がダイオードである． | 一つの半導体の中で，P領域とN領域が接している領域．P側に正の電圧，N側に負の電圧を加えた場合を，順方向バイアスという（接触電位差を小さくするような電圧のかけ方）．順方向バイアスでは，接触電位差が小さくなり電流が流れる．逆に，P側に負の電圧，N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは，接触電位差が大きくなり電流は流れない．PN接合をもった半導体素子がダイオードである． | ||
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| + | '''図 PN接合と順方向/逆方向バイアスのエネルギ図''' | ||
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最新版
PN接合（PN Junction）
一つの半導体の中で，P領域とN領域が接している領域．P側に正の電圧，N側に負の電圧を加えた場合を，順方向バイアスという（接触電位差を小さくするような電圧のかけ方）．順方向バイアスでは，接触電位差が小さくなり電流が流れる．逆に，P側に負の電圧，N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは，接触電位差が大きくなり電流は流れない．PN接合をもった半導体素子がダイオードである．
図 PN接合と順方向/逆方向バイアスのエネルギ図
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
