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エピタキシャル・ウェハ【Epitaxial Wafer】
シリコン基板などの単結晶表面に，異なる比抵抗をもつ単結晶層をエピタキシャル成長させたウェハ．MOSFETのリーク電流を極力抑えなければならない64Mビット以降のDRAMなどに使用されている．リーク電流を少なくするためには，結晶欠陥をできるだけ除去することが重要である．MOSFETが構成される半導体基板表面の結晶性は，より完全なものが要求される．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
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