SIMOX
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| 6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
2009年3月13日 (金) 07:40の版
SIMOX（Separated by Implanted Oxygen）
シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し，そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術．SIMOX法は，1978年にNTT（日本電信電話）が提案した．高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化（ITOX：Internal Thermal Oxidation）を引き起こし，埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が，ITOX-SIMOXである．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
