イオン注入
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| 6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
2009年3月13日 (金) 07:40の版
イオン注入【Ion Implantation】
イオンを直接，半導体基板に注入することによって，不純物を添加する方法．拡散法より不純物濃度の制御を行いやすい．現在の半導体製造における不純物注入プロセスのほとんどがイオン注入方式を採っている．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
