アイソレーション
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| 7 行 | 7 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
2009年3月13日 (金) 07:40の版
アイソレーション【Isolation】
シリコン・チップ内部のトランジスタがそれぞれ独立に動作するには，お互いが干渉しないための分離が必要となる．これをアイソレーションと呼ぶ．
シリコン基板上でのMOSFET素子分離（アイソレーション）には，PN接合に逆バイアスをかけて分離するPN接合分離法，誘電体によって分離するLOCOS構造などがある．最近は絶縁基板上にトランジスタを生成したSOI（Silicon on Insulator）なども用いられ始めている．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
