入力保護回路
出典: くみこみックス
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MOS（CMOS）LSIの入力保護回路．MOSトランジスタは，その構成上，入力部ゲートが酸化膜でできている．ところがLSIの入力は通常環境で数千ボルトの静電気にさらされているため，ゲート酸化膜が破壊されやすい．したがって，CMOS LSIなどには静電放電（ESD：Electrostatic Discharge）のための保護回路を設けることが必須である．原理的には，酸化膜に電圧が印加される前に，基板・電源方向に高電圧を逃がしてやることである． | MOS（CMOS）LSIの入力保護回路．MOSトランジスタは，その構成上，入力部ゲートが酸化膜でできている．ところがLSIの入力は通常環境で数千ボルトの静電気にさらされているため，ゲート酸化膜が破壊されやすい．したがって，CMOS LSIなどには静電放電（ESD：Electrostatic Discharge）のための保護回路を設けることが必須である．原理的には，酸化膜に電圧が印加される前に，基板・電源方向に高電圧を逃がしてやることである． | ||
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入力保護回路【Input Protection Circuit】
MOS（CMOS）LSIの入力保護回路．MOSトランジスタは，その構成上，入力部ゲートが酸化膜でできている．ところがLSIの入力は通常環境で数千ボルトの静電気にさらされているため，ゲート酸化膜が破壊されやすい．したがって，CMOS LSIなどには静電放電（ESD：Electrostatic Discharge）のための保護回路を設けることが必須である．原理的には，酸化膜に電圧が印加される前に，基板・電源方向に高電圧を逃がしてやることである．
図 基本的な入力保護回路の例
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
