空乏層

出典: くみこみックス

2009年3月13日 (金) 07:49の版 (ソースを表示) Kumikomiadmin (会話 | 投稿記録) M (1 版) ←前の差分		最新版 (2009年3月16日 (月) 01:22) (ソースを表示) Worker (会話 | 投稿記録)
12 行		12 行
	* [[PN接合]]		* [[PN接合]]
-	[[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]]	+	[[Category:組み込み技術全般|クウホウソウ]] [[Category:LSI|クウホウソウ]]

---

最新版

空乏層【Depletion Layer】

　PN接合，ショットキー接合において，PN接合付近に生じるキャリアがほとんど存在しない領域．空乏層厚さは，接合に印加される電圧に依存する．順方向バイアスでは小さく，逆方向バイアスでは大きくなる．空乏層が存在するためPN接合には容量が生じる．

【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．

関連項目

• PN接合