SIMOX
出典: くみこみックス
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シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し，そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術．SIMOX法は，1978年にNTT（日本電信電話）が提案した．高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化（ITOX：Internal Thermal Oxidation）を引き起こし，埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が，ITOX-SIMOXである． | シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し，そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術．SIMOX法は，1978年にNTT（日本電信電話）が提案した．高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化（ITOX：Internal Thermal Oxidation）を引き起こし，埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が，ITOX-SIMOXである． | ||
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【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
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最新版
SIMOX（Separated by Implanted Oxygen）
シリコン・ウェハに酸素イオンを注入し，そのあと高温熱処理によって埋め込み酸化膜層を形成する技術．SIMOX法は，1978年にNTT（日本電信電話）が提案した．高温熱処理の代わりに高温酸化処理を行って内部酸化（ITOX：Internal Thermal Oxidation）を引き起こし，埋め込み酸化層の高品質化を可能にした方法が，ITOX-SIMOXである．
図 ITOX-SIMOXプロセス
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
