LOCOS
出典: くみこみックス
版間での差分
| （間の 3 版分が非表示です） | |||
| 3 行 | 3 行 | ||
<br> | <br> | ||
MOSFET素子分離のための，シリコン酸化膜などを用いた誘電体分離法の一つ．CMOS構造のP型トランジスタとN型トランジスタの境界などに設ける． | MOSFET素子分離のための，シリコン酸化膜などを用いた誘電体分離法の一つ．CMOS構造のP型トランジスタとN型トランジスタの境界などに設ける． | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <center> | ||
| + | [[画像:lsi_f105.gif]]<br> | ||
| + | <br> | ||
| + | '''図 LOCOS CMOSの断面図''' | ||
| + | </center> | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
最新版
LOCOS（Local Oxidation of Silicon）
MOSFET素子分離のための，シリコン酸化膜などを用いた誘電体分離法の一つ．CMOS構造のP型トランジスタとN型トランジスタの境界などに設ける．
図 LOCOS CMOSの断面図
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
