バイポーラ・トランジスタ
出典: くみこみックス
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NPNあるいはPNP接合構造(エミッタ,ベース,コレクタ)をもつ半導体素子.一般的なMOSFETと比較して高速動作が可能で,負荷駆動能力も大きいが,消費電力が大きいという欠点がある.従来,アナログ回路にはバイポーラ・トランジスタが多用されている. | NPNあるいはPNP接合構造(エミッタ,ベース,コレクタ)をもつ半導体素子.一般的なMOSFETと比較して高速動作が可能で,負荷駆動能力も大きいが,消費電力が大きいという欠点がある.従来,アナログ回路にはバイポーラ・トランジスタが多用されている. | ||
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+ | '''図 バイポーラ・トランジスタの構造と等価回路''' | ||
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | 【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | ||
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バイポーラ・トランジスタ【Bipolar Transistor】
NPNあるいはPNP接合構造(エミッタ,ベース,コレクタ)をもつ半導体素子.一般的なMOSFETと比較して高速動作が可能で,負荷駆動能力も大きいが,消費電力が大きいという欠点がある.従来,アナログ回路にはバイポーラ・トランジスタが多用されている.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.