強誘電体メモリ
出典: くみこみックス
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ゲート電極などに強誘電体のヒステリシス特性を利用した不揮発メモリ．FRAMともいう．強誘電体としては，チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）やストロンチウム・ビスマス･タンタレート（SBT）が用いられる．非接触ICカードなどで実用化が始まっている．強誘電体メモリの構成としては，強誘電体キャパシタを用いた方式と強誘電体ゲートFETを用いた方式の2種類があるが，実用化されているのは後者の方式である． | ゲート電極などに強誘電体のヒステリシス特性を利用した不揮発メモリ．FRAMともいう．強誘電体としては，チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）やストロンチウム・ビスマス･タンタレート（SBT）が用いられる．非接触ICカードなどで実用化が始まっている．強誘電体メモリの構成としては，強誘電体キャパシタを用いた方式と強誘電体ゲートFETを用いた方式の2種類があるが，実用化されているのは後者の方式である． | ||
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【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
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強誘電体メモリ【Fero-electric RAM】
ゲート電極などに強誘電体のヒステリシス特性を利用した不揮発メモリ．FRAMともいう．強誘電体としては，チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）やストロンチウム・ビスマス･タンタレート（SBT）が用いられる．非接触ICカードなどで実用化が始まっている．強誘電体メモリの構成としては，強誘電体キャパシタを用いた方式と強誘電体ゲートFETを用いた方式の2種類があるが，実用化されているのは後者の方式である．
図 強誘電体メモリ（ＦＲＡＭ）セルの構成法
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
