貫通電流
出典: くみこみックス
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CMOS論理回路の電流は，負荷容量CLの充電/放電電流と，パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる．これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる．つまり，貫通電流の量は周波数に比例する．消費電流を減らすには，パルス遷移時間を短く（パルスのスルー・レートを大きく）する必要がある． | CMOS論理回路の電流は，負荷容量CLの充電/放電電流と，パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる．これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる．つまり，貫通電流の量は周波数に比例する．消費電流を減らすには，パルス遷移時間を短く（パルスのスルー・レートを大きく）する必要がある． | ||
気相成長（Chemical Vapor Deposition） | 気相成長（Chemical Vapor Deposition） | ||
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【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
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貫通電流【Flow-through Current】
CMOSトランジスタの回路構成において，Pチャネル・トランジスタとNチャネル・トランジスタが同時にONになる遷移時間に，VDD側からGND側に向かって流れる直流電流．
CMOS論理回路の電流は，負荷容量CLの充電/放電電流と，パルスの立ち上がり/立ち下がりのときの遷移領域における貫通電流からなる．これらの電流はCMOSトランジスタのスイッチング回数に比例して多くなる．つまり，貫通電流の量は周波数に比例する．消費電流を減らすには，パルス遷移時間を短く（パルスのスルー・レートを大きく）する必要がある．
気相成長（Chemical Vapor Deposition）
図 貫通電流
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
関連項目
- CVD（同義語）
