アイソレーション
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
(間の 2 版分が非表示です) | |||
7 行 | 7 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | 【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | ||
- | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> |
最新版
アイソレーション【Isolation】
シリコン・チップ内部のトランジスタがそれぞれ独立に動作するには,お互いが干渉しないための分離が必要となる.これをアイソレーションと呼ぶ.
シリコン基板上でのMOSFET素子分離(アイソレーション)には,PN接合に逆バイアスをかけて分離するPN接合分離法,誘電体によって分離するLOCOS構造などがある.最近は絶縁基板上にトランジスタを生成したSOI(Silicon on Insulator)なども用いられ始めている.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.