PN接合
出典: くみこみックス
版間での差分
| （間の 1 版分が非表示です） | |||
| 3 行 | 3 行 | ||
<br> | <br> | ||
一つの半導体の中で，P領域とN領域が接している領域．P側に正の電圧，N側に負の電圧を加えた場合を，順方向バイアスという（接触電位差を小さくするような電圧のかけ方）．順方向バイアスでは，接触電位差が小さくなり電流が流れる．逆に，P側に負の電圧，N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは，接触電位差が大きくなり電流は流れない．PN接合をもった半導体素子がダイオードである． | 一つの半導体の中で，P領域とN領域が接している領域．P側に正の電圧，N側に負の電圧を加えた場合を，順方向バイアスという（接触電位差を小さくするような電圧のかけ方）．順方向バイアスでは，接触電位差が小さくなり電流が流れる．逆に，P側に負の電圧，N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは，接触電位差が大きくなり電流は流れない．PN接合をもった半導体素子がダイオードである． | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <center> | ||
| + | [[画像:lsi_f113.gif]]<br> | ||
| + | <br> | ||
| + | '''図 PN接合と順方向/逆方向バイアスのエネルギ図''' | ||
| + | </center> | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
最新版
PN接合（PN Junction）
一つの半導体の中で，P領域とN領域が接している領域．P側に正の電圧，N側に負の電圧を加えた場合を，順方向バイアスという（接触電位差を小さくするような電圧のかけ方）．順方向バイアスでは，接触電位差が小さくなり電流が流れる．逆に，P側に負の電圧，N側に正の電圧を加えた逆方向バイアスでは，接触電位差が大きくなり電流は流れない．PN接合をもった半導体素子がダイオードである．
図 PN接合と順方向/逆方向バイアスのエネルギ図
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
