LOCOS
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
3 行 | 3 行 | ||
<br> | <br> | ||
MOSFET素子分離のための,シリコン酸化膜などを用いた誘電体分離法の一つ.CMOS構造のP型トランジスタとN型トランジスタの境界などに設ける. | MOSFET素子分離のための,シリコン酸化膜などを用いた誘電体分離法の一つ.CMOS構造のP型トランジスタとN型トランジスタの境界などに設ける. | ||
+ | <br> | ||
+ | <br> | ||
+ | <br> | ||
+ | <center> | ||
+ | [[画像:lsi_f105.gif]]<br> | ||
+ | <br> | ||
+ | '''図 LOCOS CMOSの断面図''' | ||
+ | </center> | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> |
最新版
LOCOS(Local Oxidation of Silicon)
MOSFET素子分離のための,シリコン酸化膜などを用いた誘電体分離法の一つ.CMOS構造のP型トランジスタとN型トランジスタの境界などに設ける.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.