HEMT
出典: くみこみックス
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高周波特性に優れた,衛星通信などに用いる高速トランジスタ.不純物拡散を行わないアンドープ構造のガリウム砒素(GaAs)上に,アルミニウム,ガリウム砒素などを積層したヘテロ構造をもつ.このヘテロ接合界面に発生する高移動度の電子を利用する. | 高周波特性に優れた,衛星通信などに用いる高速トランジスタ.不純物拡散を行わないアンドープ構造のガリウム砒素(GaAs)上に,アルミニウム,ガリウム砒素などを積層したヘテロ構造をもつ.このヘテロ接合界面に発生する高移動度の電子を利用する. | ||
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最新版
HEMT(High Electron Mobility Transistor)
高周波特性に優れた,衛星通信などに用いる高速トランジスタ.不純物拡散を行わないアンドープ構造のガリウム砒素(GaAs)上に,アルミニウム,ガリウム砒素などを積層したヘテロ構造をもつ.このヘテロ接合界面に発生する高移動度の電子を利用する.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.