バイポーラ・トランジスタ
出典: くみこみックス
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NPNあるいはPNP接合構造（エミッタ，ベース，コレクタ）をもつ半導体素子．一般的なMOSFETと比較して高速動作が可能で，負荷駆動能力も大きいが，消費電力が大きいという欠点がある．従来，アナログ回路にはバイポーラ・トランジスタが多用されている． | NPNあるいはPNP接合構造（エミッタ，ベース，コレクタ）をもつ半導体素子．一般的なMOSFETと比較して高速動作が可能で，負荷駆動能力も大きいが，消費電力が大きいという欠点がある．従来，アナログ回路にはバイポーラ・トランジスタが多用されている． | ||
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【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
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バイポーラ・トランジスタ【Bipolar Transistor】
NPNあるいはPNP接合構造（エミッタ，ベース，コレクタ）をもつ半導体素子．一般的なMOSFETと比較して高速動作が可能で，負荷駆動能力も大きいが，消費電力が大きいという欠点がある．従来，アナログ回路にはバイポーラ・トランジスタが多用されている．
図 バイポーラ・トランジスタの構造と等価回路
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
