ステッパ
出典: くみこみックス
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LSI製造のためのステップ&リピート機構つき露光装置. | LSI製造のためのステップ&リピート機構つき露光装置. | ||
従来の露光装置がフォトマスクに1対1対応したパターンを焼き付けるのに対して,ステッパは縮小投影しながらウェハ全面にステップ&リピート機構を用いて焼き付ける.レンズ縮小率が5倍の場合,フォトマスク寸法1μmによってウェハ上の0.2μmを焼き付けることができ,微細パターンの形成においてその効果は大きい. | 従来の露光装置がフォトマスクに1対1対応したパターンを焼き付けるのに対して,ステッパは縮小投影しながらウェハ全面にステップ&リピート機構を用いて焼き付ける.レンズ縮小率が5倍の場合,フォトマスク寸法1μmによってウェハ上の0.2μmを焼き付けることができ,微細パターンの形成においてその効果は大きい. | ||
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+ | '''図 ステッパ光源と波長''' | ||
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【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | 【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月. | ||
- | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
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最新版
ステッパ【Wafer Stepper】
LSI製造のためのステップ&リピート機構つき露光装置.
従来の露光装置がフォトマスクに1対1対応したパターンを焼き付けるのに対して,ステッパは縮小投影しながらウェハ全面にステップ&リピート機構を用いて焼き付ける.レンズ縮小率が5倍の場合,フォトマスク寸法1μmによってウェハ上の0.2μmを焼き付けることができ,微細パターンの形成においてその効果は大きい.
【出典】西久保 靖彦;基本システムLSI用語辞典,CQ出版社,2000年5月.