グラウンド・バウンス
出典: くみこみックス
版間での差分
| （間の 2 版分が非表示です） | |||
| 6 行 | 6 行 | ||
【出典】（株）アルティマ 技術統括部 一同，下馬場 朋禄，山際 伸一，横溝 憲治；システム開発者のためのFPGA用語集，Design Wave Magazine 2008年12月号 別冊付録，CQ出版社，2008年12月． | 【出典】（株）アルティマ 技術統括部 一同，下馬場 朋禄，山際 伸一，横溝 憲治；システム開発者のためのFPGA用語集，Design Wave Magazine 2008年12月号 別冊付録，CQ出版社，2008年12月． | ||
<!-- 【著作権者】○○ ○○氏 --> | <!-- 【著作権者】○○ ○○氏 --> | ||
| + | ---- | ||
| + | IC内部の出力などが同時に変化したとき，電源電流が大きく変化して，チップ上のVDD，GND電圧レベルが影響を受けること． | ||
| + | たとえば出力バッファなどが同時に動作したとき，貫通電流はかなり大きくなる．ボンディング・ワイヤなどのインダクタンスや容量，VDD，GND側のインピーダンスの影響を受けて，VDDやGND電圧レベルはパルス的に変化する．この結果，回路が誤動作することがある．高速動作の回路ではこうした問題への配慮が必要となる． | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <center> | ||
| + | [[画像:lsi_f14.gif]]<br> | ||
| + | <br> | ||
| + | '''図 グラウンド・バウンス''' | ||
| + | </center> | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | == 関連項目 == | ||
| + | * [[貫通電流]] | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般|クラウントハウンス]] [[Category:FPGA|クラウントハウンス]] | + | [[Category:組み込み技術全般|クラウントハウンス]] [[Category:FPGA|クラウントハウンス]] [[Category:LSI|クラウントハウンス]] |
最新版
グラウンド・バウンス 【Ground Bounce】
デバイスの内部回路やI/O回路が消費する電力が瞬間的に変化したときに，コア電源やI/O電源，I/Oピンなどの寄生容量やグラウンドに対するインピーダンスなどが影響し，グラウンドの電圧レベルが変化してしまう現象です．これが発生する理由として，バイパス・コンデンサ（パスコン）の欠如や，ピンへの突入電流の発生が考えられます．
【出典】（株）アルティマ 技術統括部 一同，下馬場 朋禄，山際 伸一，横溝 憲治；システム開発者のためのFPGA用語集，Design Wave Magazine 2008年12月号 別冊付録，CQ出版社，2008年12月．
IC内部の出力などが同時に変化したとき，電源電流が大きく変化して，チップ上のVDD，GND電圧レベルが影響を受けること．
たとえば出力バッファなどが同時に動作したとき，貫通電流はかなり大きくなる．ボンディング・ワイヤなどのインダクタンスや容量，VDD，GND側のインピーダンスの影響を受けて，VDDやGND電圧レベルはパルス的に変化する．この結果，回路が誤動作することがある．高速動作の回路ではこうした問題への配慮が必要となる．
図 グラウンド・バウンス
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
