移動度
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| （間の 3 版分が非表示です） | |||
| 3 行 | 3 行 | ||
<br> | <br> | ||
半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である． | 半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である． | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <br> | ||
| + | <center> | ||
| + | [[画像:lsi_f3.gif]]<br> | ||
| + | <br> | ||
| + | '''図 移動度の不純物濃度依存性''' | ||
| + | </center> | ||
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
| 12 行 | 20 行 | ||
* [[キャリア]] | * [[キャリア]] | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|イトウト]] [[Category:LSI|イトウト]] |
最新版
移動度【Mobility】
半導体中のキャリアである電子や正孔（ホール）の平均速度は，電場が比較的低い場合には電界Eに比例する．このときの比例定数が移動度μ（単位はcm2/V・s）である．シリコン（Si）デバイスにおいてNチャネル型MOSFETがPチャネル型MOSFETより高速なのは，電子移動度μnが正孔移動度μpの2倍程度大きいことによる．また，GaAs（ガリウム砒素）デバイスが，シリコン・デバイスより高速なのも同じ理由である．
図 移動度の不純物濃度依存性
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
