逆方向バイアス
出典: くみこみックス
版間での差分
M (1 版) |
|||
| （間の 2 版分が非表示です） | |||
| 6 行 | 6 行 | ||
<br> | <br> | ||
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | 【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月． | ||
| - | + | <!-- 【著作権者】西久保 靖彦氏 --> | |
<br> | <br> | ||
<br> | <br> | ||
| 12 行 | 12 行 | ||
* [[PN接合]] | * [[PN接合]] | ||
| - | [[Category:組み込み技術全般]] [[Category:LSI]] | + | [[Category:組み込み技術全般|キャクホウコウハイアス]] [[Category:LSI|キャクホウコウハイアス]] |
最新版
逆方向バイアス【Reverse Bias】
半導体PN接合において，P側に負の電圧，N側に正の電圧を印加したとき，接触電位差が大きくなり，電流は流れない．たとえば半導体基板上におけるトランジスタ分離の一つの方法として，PN接合逆バイアスによる構成がある．
【出典】西久保 靖彦；基本システムLSI用語辞典，CQ出版社，2000年5月．
